A Samsung revelou seu primeiro módulo de memória DDR5 de 512GB baseado no novo processo High-K Metal Gate (HKMG). DDR5, o novo padrão em DRAM (Dynamic Random Access Memory), é voltado para as demandas de cargas de trabalho de alta largura de banda com grande demanda por computação em supercomputação, inteligência artificial (AI) e aprendizado de máquina (ML), bem como aplicativos de análise de dados.

Samsung revelou seu primeiro módulo de memória DDR5 de 512GB

Como sucessora da popular DDR4, a DDR5 promete dobrar o desempenho em até 7.200 megabits por segundo (Mbps), que é uma velocidade boa o suficiente para processar dois filmes de ultra-alta definição de 30 GB em um segundo – com a nova solução HKMG ajudando a reduzir vazamento de energia. A memória DDR pode enviar e receber sinais de dados duas vezes durante um único ciclo de clock e permite taxas de transferência muito mais rápidas e capacidades mais altas. Tecnologia HKMG A tecnologia HKMG é tradicionalmente usada em semicondutores lógicos, onde aproveita um material dielétrico alto na camada de isolamento para reduzir o vazamento de corrente. Em estruturas de DRAM, essa camada de isolamento é mais fina, o que geralmente resulta em maior corrente de fuga. Mas com seu novo DDR5, a Samsung agora substituiu o isolador por material HKMG para não apenas reduzir o vazamento, mas também usar menos energia – tornando-o ideal para datacenters onde a eficiência energética está se tornando cada vez mais crítica. O processo HKMG foi adotado na memória GDDR6 da Samsung em 2018 pela primeira vez na indústria, antes de agora ser expandido para a memória DDR5. A Samsung disse que também aplicou a tecnologia através do silício via (TSV) para a mais recente memória DDR5 para empilhar oito camadas de chips DRAM de 16 gigabits para a capacidade máxima da indústria de 512 GB. Além do módulo de 512 GB, a Samsung está atualmente testando diferentes variações de sua família de produtos de memória DDR5 para os clientes para verificação e certificação – o que inclui parceiros como a Intel. O DDR5 da Samsung também possui um circuito de Código de Correção de Erro (ECC) para aumentar a confiabilidade, com o hardware esperado para auxiliar na alimentação dos computadores necessários para, entre outros, pesquisas médicas, mercados financeiros, direção autônoma e cidades inteligentes. A memória DDR5 de 512 GB baseada em HKMG da Samsung ainda está em fase de verificação, mas provavelmente estará disponível no mercado na segunda metade de 2021.